News Detail

数据记录EDR应用STT-MRAM芯片S3R1016方案

新型存储之MRAM资讯

25
Issuing time:2023-06-08 15:31Author:glochip.comSource:www.globalizex.com/news/Link:https://www.glochip.com/news/

    Netsol的Parallel STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说,这是最理想的内存。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。

    Netsol中国区总代理全球芯科技提供的S3R1016是容量为1Mbit的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。数据始终是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,有助于简化系统设计。是一个具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允许通过数据字节控制(LB、UB)访问低位和高位字节。支持异步页面模式功能,以提高读写性能。x16 I/O模式和x8I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。

    在数据记录应用中,数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件;使用历史;环境参数 ;机器状态;用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据,内存需要快速的写入速度与高耐久性。


详细咨询 请找   深圳市全球芯科技有限公司   www.chip.com.cn

Home                                    Product                                        News                                   About                                        Contact
Tel: +86-0755-84866816  13924645577
Tel: +86-0755-84828852  13924649321
Mail:  kevin@glochip.com
Web:  www.glochip.com
Rm401.1st Building, Dayun software Longgang Avenue, Longgang district,Shenzhen,China
Samsung Micron SKhynix Kingston Sandisk  Kioxia Nanya Winbond MXIC ESMT Longsys Biwin HosgingGlobal  BoyaMicro  Piecemakers Rayson  Skyhigh  Netsol

SRAM MRAM SDRAM DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5X NAND NOR eMMC UFS eMCP uMCP SSD Module